| Malzeme | Seramik, SiC, Al₂O₃, SiO₂,Al₄C₃ |
|---|---|
| Yalıtım Gücü | ≥15KV/mm |
| Çalışma sıcaklığı | 1000°C'ye kadar |
| Boyut | Çeşitli Boyutlarda |
| Yüzey pürüzlülüğü | 0,3-08 µm |
| Isı dağılımı | Verimli |
|---|---|
| Malzeme | Seramik, SiC, Al₂O₃, SiO₂,Al₄C₃ |
| Dayanıklılık | Uzun süreli |
| Sıcaklığa dayanıklılık | <700°C |
| Uygulama | Transistör, MOSFET, Schottky Diyot, IGBT, Yüksek Yoğunluklu Anahtarlama Güç Kaynağı, Yüksek Frekansl |
| Ağırlık | Hafif |
|---|---|
| Isı dağılımı | Verimli |
| Yüzey pürüzlülüğü | 0,3-08 µm |
| yoğunluk | 3.7g/cm^3 |
| Yalıtım Gücü | ≥15KV/mm |
| Malzeme | Seramik, SiC, Al₂O₃, SiO₂,Al₄C₃ |
|---|---|
| Çarpıklık | ≤2‰ |
| mekanik dayanım | ≥3000MPa |
| Isı dağılımı | Verimli |
| Dayanıklılık | Uzun süreli |
| Ağırlık | Hafif |
|---|---|
| Boyut | Çeşitli Boyutlarda |
| Isı İleticiliği | 9~180 MW/mK |
| Yüzey pürüzlülüğü | 0,3-08 µm |
| Çarpıklık | ≤2‰ |
| Isı İleticiliği | 9~180 MW/mK |
|---|---|
| Çarpıklık | ≤2‰ |
| Dayanıklılık | Uzun süreli |
| Sıcaklığa dayanıklılık | <700°C |
| mekanik dayanım | ≥3000MPa |